高周波素子収納用パッケージ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231218
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074397
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】信号伝送損失を低減し、しかも気密封止性に優れ、且つ小型化が可能な高周波素子収納用パッケージを提供する。【解決手段】絶縁性セラミック基板1と、基板表面に形成され、高周波素子と接続され、高周波信号が伝送可能なAuからなる薄膜配線層2と、セラミック基板1表面に配線層2と交差する位置にガラス4によって接合され、内部に高周波素子を気密に封着するための絶縁性蓋体5とを備えたパッケージであって、接合用ガラス4の比誘電率および絶縁性蓋体の比誘電率が15以下であり、且つセラミック基板1とガラス4、絶縁性蓋体5とガラス4との熱膨張差がいずれも1.2×10-6/°C以下となるように制御する。また、絶縁性セラミック基板1が、アルミナ含有量が98%以上のアルミナ質セラミックスからなり、内部に電源層が形成された多層配線基板からなることが望ましい。

請求項（抜粋）：

絶縁性セラミック基板と、該基板表面に形成され、高周波素子と接続され、高周波信号が伝送可能なAuからなる薄膜配線層と、前記セラミック基板表面に前記配線層と交差する位置にガラスによって接合され、内部に前記高周波素子を気密に封着するための絶縁性蓋体とを備えたパッケージであって、前記接合用ガラスの比誘電率および前記絶縁性蓋体の比誘電率が15以下であり、且つ前記セラミック基板と前記ガラス、前記絶縁性蓋体と前記ガラスとの熱膨張差がいずれも1.2×10-6/°C以下であることを特徴とする高周波素子収納用パッケージ。

IPC (4件)：

H01L 23/10 , H01L 23/08 , H01L 23/12 301 , H01L 23/15

FI (4件)：

H01L 23/10 A , H01L 23/08 D , H01L 23/12 301 Z , H01L 23/14 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

高周波回路部品の接続構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-012442 出願人：住友金属工業株式会社
特開昭62-196853
特開昭62-196853

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