リン植え込みによりチャネルの不純物分布を退化させる半導体製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹本松司 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-346552
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162386
出願日： 1995年12月04日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】リン植え込みによりチャネルの不純物分布を退化させる半導体製造方法の提供。【解決手段】犠牲酸化物層をシリコン基板上に形成し、閾値電圧を調整する植え込みを進行し、犠牲酸化物層を除去し、一つのゲート酸化物層を形成し、一つのゲートポリシリコン層を堆積し、ゲートポリシリコン層を定義及びエッチングしてゲートを形成し、第1次リン植え込みを行い、ライトリードウプトドレイン(LDD:Lightly Doped Drain)を形成し、チャネル中へと第2次リン植え込みを行い、チャネルの不純物分布曲線を退化させる。

請求項（抜粋）：

犠牲酸化物層をシリコン基板上に形成し、閾値電圧を調整する植え込みを進行し、犠牲酸化物層を除去し、一つのゲート酸化物層を形成し、一つのゲートポリシリコン層を堆積し、ゲートポリシリコン層を定義及びエッチングしてゲートを形成し、第1次リン植え込みを行い、ライトリードウプトドレイン(LDD:Lightly Doped Drain)を形成し、チャネル中へと第2次リン植え込みを行い、チャネルの不純物分布曲線を退化させ、以上のステップを包括するリン植え込みによりチャネルの不純物分布を退化させる半導体製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-006055 出願人：川崎製鉄株式会社
特開昭61-292963

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