特許
J-GLOBAL ID：200903003886019291
半導体レーザの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-281816
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148757
出願日： 1994年11月16日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 歩留りを低下させることなく、容易に、かつ再現性よく窓構造を有する半導体レーザを製造することができる半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 n-GaAs基板12a上にn-AlGaAsクラッド層11を成長させた後、n-AlGaAsクラッド層11上にGaInP層を、そのレーザ共振器端面近傍領域3に形成される部分をレーザ光15で加熱すると同時に、その全体をGaInP層のPL波長が最も大きくなる成長温度以上の温度で成長させて、レーザ共振器端面近傍に窓構造部10aを有する活性層10を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に、所定の成長温度以上の温度では成長温度が上昇するにしたがってバンドギャップが単調増加するよう成長する性質を有する化合物半導体材料からなる活性層を、上記所定の成長温度以上の温度で、そのレーザ共振器端面近傍の少なくとも導波路となる領域を含む窓構造部形成領域が、その該窓構造部形成領域以外の領域よりも高温になるよう成長させて、その上記窓構造部形成領域のバンドギャップが該窓構造部形成領域以外の領域のバンドギャップよりも大きくなるよう形成する工程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
