特許

J-GLOBAL ID：200903003898880634

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松村 和彦 ,  長尾 浩一 ,  金子 英之 ,  中岡 由起子 ,  藤本 博昭
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-098373
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298007
出願日： 2002年04月01日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 2つの半導体チップが相対した半導体装置の製造方法において、一方の半導体チップの内部電極および外部電極における金属層の形成方法が異なった工程であったために、製造コストが高くなるといった問題があった。【解決手段】 第1の半導体チップの内部電極および外部電極に対して同時に、第1のバンプ24、金属膜29をそれぞれ形成する。

請求項（抜粋）：

第1の半導体チップの内部電極および外部電極に、第1のバンプおよび金属膜をそれぞれ同時に形成する工程と、第2の半導体チップの内部電極に第2のバンプを形成する工程と、前記第1のバンプと前記第2のバンプとを電気的に接続する工程と、前記第1の半導体チップの裏面をダイパッドに接着する工程と、前記第1の半導体チップの外部電極と前記ダイパッドの周囲に形成されたリードとを金属細線により電気的に接続する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 25/065 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (7件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 25/08 B ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 603 A ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 604 B

Fターム (9件)：

5F044AA01 ,  5F044EE04 ,  5F044FF04 ,  5F044LL04 ,  5F044LL13 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ05 ,  5F044RR02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-303294   出願人：セイコーエプソン株式会社