特許
J-GLOBAL ID：200903003916585025

有機半導体素子の製造方法、有機半導体素子及び有機半導体装置

発明者：
山手 信一

山手 信一 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-181167
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021297
出願日： 2007年07月10日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
【課題】 活性層の電気的特性の低下を防止でき、しかも良好なパターン形状を有するようにパターニングされた活性層を形成することができる有機半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明の有機半導体素子の製造方法は、支持フィルム及び活性層が積層された積層体と、活性層を形成させる素子基板とを、積層体の活性層と素子基板とが接するように貼り合わせる工程と、支持フィルムにおける活性層に対して反対側の面上に、所定のパターン形状を有するマスクを形成する工程と、マスクが形成されていない領域の積層体を除去することにより、活性層をパターニングする工程とを有する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
有機半導体化合物を含む半導体膜からなる活性層を有する有機半導体素子の製造方法であって、 支持フィルム及び前記活性層が積層された積層体と、前記活性層を形成させる素子基板とを、前記積層体の前記活性層と該素子基板とが接するように貼り合わせる工程と、 前記支持フィルムにおける前記活性層に対して反対側の面上に、所定のパターン形状を有するマスクを形成する工程と、 前記マスクが形成されていない領域の前記積層体を除去することにより、前記活性層をパターニングする工程と、 を有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (7件)：
H01L29/78 627D ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310K ,  H01L29/28 390 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L27/12 B
Fターム (37件)：
5F110AA01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ16
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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