トランジスタ及びその製造方法、並びに、このトランジスタを有する半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-236198
公開番号（公開出願番号）：特開2007-096288
出願日： 2006年08月31日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】簡便な方法によって配向を有する活性層を形成でき、優れたキャリア移動度を有するトランジスタが得られるトランジスタの製造方法を提供すること【解決手段】本発明のトランジスタの製造方法は、有機半導体化合物を含む半導体膜からなる活性層を有するトランジスタの製造方法であって、半導体膜を延伸する工程と、半導体膜を、活性層を形成させる面に対して加熱及び/又は加圧をしながら貼り付けて活性層を得る工程とを含む。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

有機半導体化合物を含む半導体膜からなる活性層を有するトランジスタの製造方法であって、前記半導体膜を延伸する工程と、前記半導体膜を、前記活性層を形成させる面に対して加熱及び/又は加圧をしながら貼り付けて、前記活性層を得る工程と、を含む、トランジスタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/28

FI (8件)：

H01L29/78 618A , H01L29/78 618B , H01L29/78 627D , H01L29/78 616U , H01L29/28 100A , H01L29/28 390 , H01L27/12 B , H01L21/28 301B

Fターム (66件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD28 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104HH20 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB10 , 5F110BB20 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110QQ06 , 5F110QQ16

引用特許：

出願人引用 (1件)

電界効果型トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-152823 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (5件)

導電性有機材料配向膜の製造方法及び導電性有機材料配向膜を用いた有機電子素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-241078 出願人：松下電器産業株式会社
凹凸パターン化を伴う半導体層
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-153165 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
有機薄膜トランジスタ、有機TFT装置およびそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-306861 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

全件表示

前のページに戻る