特許
J-GLOBAL ID:200903003925605217
半導体集積回路及びその配線方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
上柳 雅誉 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-143606
公開番号(公開出願番号):特開2001-326329
出願日: 2000年05月16日
公開日(公表日): 2001年11月22日
要約:
【要約】【課題】 容易に配線層の変更を行うことができる半導体集積回路を提供する。【解決手段】 本発明の半導体集積回路は、基板1と、インバータ、NAND回路、フリップフロップ回路などの機能を実現するスタンダードセル2と、トランジスタであるベーシックセル3と、を備えている。スタンダードセル2は、ベーシックセル3のグリッド幅を基本グリッド幅として、その整数倍のグリッド幅となるように設計される。これにより、半導体集積回路の配線層の変更を容易に行うことができる。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に設けられたスタンダードセルと、前記基板上に設けられたベーシックセルを有する半導体集積回路において、前記スタンダードセルは、そのグリッド幅が前記ベーシックセルのグリッド幅の整数倍であることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (5件):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, G06F 17/50 658
, G06F 17/50
, H01L 21/82
FI (5件):
G06F 17/50 658 E
, G06F 17/50 658 R
, H01L 27/04 A
, H01L 21/82 B
, H01L 21/82 C
Fターム (21件):
5B046AA08
, 5B046BA05
, 5B046BA06
, 5F038CA02
, 5F038CA03
, 5F038CA05
, 5F038CA17
, 5F038DF14
, 5F038EZ09
, 5F038EZ20
, 5F064AA04
, 5F064BB05
, 5F064BB07
, 5F064BB19
, 5F064DD02
, 5F064DD03
, 5F064DD14
, 5F064DD19
, 5F064DD20
, 5F064HH06
, 5F064HH12
引用特許:
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