特許
J-GLOBAL ID:200903013056428682
スタンダードセル方式の集積回路
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三好 秀和 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-343278
公開番号(公開出願番号):特開平10-242289
出願日: 1997年12月12日
公開日(公表日): 1998年09月11日
要約:
【要約】【課題】 スタンダードセルの配線層より下層のゲートポリシリコン領域やソース・ドレイン領域の変更をしなくても回路変更を可能とし、集積回路の短期間の設計・製造を実現する。【解決手段】 同一チップ1上に、複数のスタンダードセル行と、ゲートアレイで用いられる基本セルGCとを混載する。ゲートアレイで用いられる基本セルGCは、この複数のスタンダードセル行のそれぞれの間の配線領域となる空き領域3に、あるいは同一スタンダードセル行中のスタンダードセルとスタンダードセルとの間の空き領域33に配置される。予備のセルとして配置された基本セルGC上に配線層を形成して、回路変更の要求に対応する。
請求項(抜粋):
複数のスタンダードセルが配列された複数のセル行と、該複数のセル行中の所定のセル行中のスタンダードセルの空き領域に形成されたゲートアレイの基本セルとから少なくとも構成されることを特徴とするスタンダードセル方式の集積回路。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/82 B
, H01L 21/82 M
引用特許:
出願人引用 (8件)
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論理チップ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-202939
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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特開平3-209847
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半導体集積回路の設計方法および評価用半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-010809
出願人:株式会社日立製作所
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-327572
出願人:日本電気株式会社
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特開平1-235428
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LSI装置及びその設計方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-043301
出願人:ヤマハ株式会社
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特開昭61-253831
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特開昭5-243378
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審査官引用 (9件)
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論理チップ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-202939
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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特開平3-209847
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特開平3-209847
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