特許

J-GLOBAL ID：200903003954666349

透明薄膜除去装置、透明薄膜除去方法および薄膜エレクトロルミネッセント素子

発明者： 中村 憲明 ,  林 健一
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  住友重機械工業株式会社
代理人 (1件)： 池澤 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-311258
公開番号（公開出願番号）：特開平10-137953
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：

【要約】【課題】 レーザー光34により薄膜の所定部分を簡単に除去することができ、透明電極3部分から上層(第1の絶縁層4、発光層5、第2の絶縁層6)を効率および精度よく除去することができる透明薄膜除去装置、透明薄膜除去方法および薄膜エレクトロルミネッセント素子を提供すること。【解決手段】 第1の薄膜層(透明電極3)およびこの第1の薄膜層の上層に積層した第2の薄膜層(第1の絶縁層4、発光層5、第2の絶縁層6)を有する透明薄膜の該第2の薄膜層を除去する透明薄膜除去装置であって、第1の薄膜層3には吸収可能であるとともに第2の薄膜層4、5、6には透明なレーザー光34を該第2の薄膜層側から照射するレーザー光照射手段33を有し、この第1の薄膜層3に吸収されたレーザー光34のエネルギーによるアブレーションによって該第1の薄膜層3から上層4、5、6を除去することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の薄膜層およびこの第1の薄膜層の上層に積層した第2の薄膜層を有する透明薄膜の該第2の薄膜層を除去する透明薄膜除去装置であって、前記第1の薄膜層には吸収可能であるとともに前記第2の薄膜層には透明なレーザー光を該第2の薄膜層側から照射するレーザー光照射手段を有し、この第1の薄膜層に吸収されたレーザー光のエネルギーによるアブレーションによって該第1の薄膜層から上層を除去することを特徴とする透明薄膜除去装置。

IPC (2件)：

B23K 26/00 ,  H05B 33/10

FI (3件)：

B23K 26/00 D ,  B23K 26/00 N ,  H05B 33/10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-259686
  
• 特開昭63-123588
  
• エレクトロルミネッセンス素子の微細パターン化方法及びそれより得られた素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-046589   出願人：出光興産株式会社
• エレクトロルミネツセンス素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-154933   出願人：パイオニア株式会社