エレクトロルミネッセンス素子の微細パターン化方法及びそれより得られた素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大谷保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-046589
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222371
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】透明電極に損傷を与えることなく、金属系電極に加工エッジ周辺部への熱的損傷の少ないシャープな微細加工を効率よく施し、エレクトロルミネッセンス素子(EL素子)を微細パターン化する方法を提供すること。【構成】レーザーアブレーション加工法により、EL素子を微細パターン化する方法、特に金属系電極/有機化合物層/透明電極/基板の構成からなる有機EL素子に対し、金属系電極側からレーザーフルエンスが10〜220mJ/cm2 になるようにレーザービームの照射を行い、この際生じるレーザーアブレーション現象により、金属系電極に微細加工を施し、有機EL素子を微細パターン化する方法である。

請求項（抜粋）：