特許

J-GLOBAL ID：200903004858352470

エレクトロルミネッセンス素子の微細パターン化方法及びそれより得られた素子

発明者： 下 紳郎 ,  東海林 弘
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (1件)： 大谷 保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-046589
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222371
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 透明電極に損傷を与えることなく、金属系電極に加工エッジ周辺部への熱的損傷の少ないシャープな微細加工を効率よく施し、エレクトロルミネッセンス素子(EL素子)を微細パターン化する方法を提供すること。【構成】 レーザーアブレーション加工法により、EL素子を微細パターン化する方法、特に金属系電極/有機化合物層/透明電極/基板の構成からなる有機EL素子に対し、金属系電極側からレーザーフルエンスが10〜220mJ/cm2 になるようにレーザービームの照射を行い、この際生じるレーザーアブレーション現象により、金属系電極に微細加工を施し、有機EL素子を微細パターン化する方法である。

請求項（抜粋）：

エレクトロルミネッセンス素子を微細パターン化するに当たり、レーザーアブレーション加工法を用いることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の微細パターン化方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/12

FI (3件)：

H05B 33/10 ,  G09F 9/30 365 B ,  H05B 33/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 透明電極薄膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-104034   出願人：株式会社小松製作所
• 特開平1-130494
  
• 光加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-316043   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-182389