特許

J-GLOBAL ID：200903003958806307

水素吸蔵合金電極及びその製造方法

発明者： 井本 輝彦 ,  松浦 義典 ,  東山 信幸 ,  木本 衛 ,  野上 光造 ,  米津 育郎 ,  西尾 晃治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西岡 伸泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-330033
公開番号（公開出願番号）：特開平10-168504
出願日： 1996年12月10日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：

【要約】【課題】 水素吸蔵合金の表面にニッケルリッチ層が形成されて、該ニッケルリッチ層の表面を露出させた状態で電池に組み込むことが可能な水素吸蔵合金電極の製造方法を提供する。【解決手段】 ニッケルを含有する水素吸蔵合金の粉末を作製する工程P1と、これによって得られた水素吸蔵合金粉末を200°C〜500°Cのアンモニア雰囲気中に保持して、粒子表面に高温アンモニア処理を施す工程P2と、これによって得られた水素吸蔵合金粉末を導電性基体に充填して電極形状に成形する工程P3とを有している。

請求項（抜粋）：

ニッケルを含有する水素吸蔵合金の粉末であって、合金粒子(1)の表層部には、ニッケルリッチ層(4)が形成されると共に、該ニッケルリッチ層(4)の表面を覆って、アンモニアが付着してなる保護層(5)が形成されていることを特徴とする水素吸蔵合金粉末。

IPC (4件)：

B22F 1/02 ,  H01M 4/24 ,  H01M 4/26 ,  H01M 4/38

FI (4件)：

B22F 1/02 D ,  H01M 4/24 J ,  H01M 4/26 J ,  H01M 4/38 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 活性金属の活性能抑制法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-069523   出願人：三菱重工業株式会社