FET素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298965
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151872
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【構成】基板上に、ソース、ドレイン、ソースドレイン間のチャンネル及びゲート電極を有するFET素子において、チャンネルが(1)周期表第4族から第11族の金属元素及びBiから選ばれる少なくとも一種類の金属元素及び(2)アルカリ金属元素、アルカリ土類元素、希土類金属元素から選ばれる少なくとも一種類の金属を構成金属元素とするペロブスカイト構造を有する酸化物薄膜層からなり且つその層厚が1000Å以下、電気抵抗率が2mΩcm以上であり、該酸化物薄膜層チャンネル上には直接あるいは他の金属酸化物薄膜を介して形成された金属酸化物誘電体薄膜層及びこれに接してゲート電極が形成されてなるFET素子。【効果】従来の半導体素子では得られないメモリーや赤外検出器等が実現でき、さらに素子の小型化も可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に、ソース、ドレイン、ソースドレイン間のチャンネル及びゲート電極を有するFET素子において、チャンネルが(1)周期表第4族から第11族の金属元素及びBiから選ばれる少なくとも一種類の金属元素及び(2)アルカリ金属元素、アルカリ土類元素、希土類金属元素から選ばれる少なくとも一種類の金属を構成金属元素とするペロブスカイト構造を有する酸化物薄膜層からなり且つその層厚が1000Å以下、電気抵抗率が2ミリオームセンチメートル以上であり、該酸化物薄膜層チャンネル上には直接あるいは他の金属酸化物薄膜を介して形成された金属酸化物誘電体薄膜層及びこれに接してゲート電極が形成されてなることを特徴とするFET素子。

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/804

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 29/80 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-102974
特開平2-194666
超電導トランジスタ及びその作動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-023558 出願人：株式会社日立製作所

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