半導体素子の冷却構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-144410
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335727
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】構成を簡単にするとともに、冷却水の管理も簡単にする。【解決手段】半導体素子1のアノード側及びカソード側に電極8,3を設け、冷却水配管4を介してカソード側電極3に冷却水を通流する。

請求項（抜粋）：