高周波半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066792
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261763
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】高周波半導体集積回路装置に関し、パッケージ端子間のアイソレーションを充分取ることのできる高周波半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】半導体チップと、パッケージと、接地導体とを有する高周波半導体集積回路装置であって、高周波信号が通過する第1パッケージ端子と、高周波信号が通過するパッケージ端子であるか、高周波信号が通過するノードまたはトランジスタのドレインに電流を供給するパッケージ端子である第2パッケージ端子と、第1パッケージ端子と第2パッケージ端子との間に配置され、第1抵抗を介して他の回路要素にバイアス電圧を印加するための第3パッケージ端子と、パッケージ内に配置され、第3パッケージ端子と第1抵抗との間に接続された一方の電極と接地導体に接続された他方の電極を有する第1キャパシタとを有する。

請求項（抜粋）：

各々少なくとも1つのトランジスタ、抵抗、キャパシタを含み、集積回路を構成する半導体チップと、複数のパッケージ端子を備え、収容空間に前記半導体チップを収容するパッケージと、前記パッケージ上および前記半導体チップ上に形成された接地導体とを有する高周波半導体集積回路装置であって、高周波信号が通過する第1パッケージ端子と、高周波信号が通過するパッケージ端子であるか、高周波信号が通過するノードまたはトランジスタのドレインに電流を供給するパッケージ端子である第2パッケージ端子と、前記第1パッケージ端子と前記第2パッケージ端子との間に配置され、第1抵抗を介して前記集積回路中の他の回路要素にバイアス電圧を印加するための第3パッケージ端子と、前記パッケージ内に配置され、第3パッケージ端子と前記第1抵抗との間に接続された一方の電極と前記接地導体に接続された他方の電極を有する第1キャパシタとを有する高周波半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/60 321 , H03F 3/193

FI (3件)：

H01L 27/04 C , H01L 21/60 321 X , H03F 3/193

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-148860
特開平2-303152
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-214925 出願人：日本電気株式会社

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