特許

J-GLOBAL ID：200903004043639170

誘電体薄膜および薄膜コンデンサ並びに誘電体薄膜の製法

発明者： 永仮 尚謙 ,  神垣 耕世 ,  南部 信次
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-138432
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134613
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】比誘電率が2500以上と大きく、かつ膜厚が2μm以下のPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 からなる誘電体薄膜を提供する。【解決手段】膜厚が2μm以下の誘電体薄膜であって、室温での比誘電率が2500以上のPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 からなる誘電体薄膜であり、この誘電体薄膜を一対の電極により挟持した薄膜コンデンサである。誘電体薄膜は、赤外吸収スペクトルにおいて658cm-1付近に吸収を有するMgNb複合アルコキシドからなるMgNb前駆体溶液と、Pb前駆体溶液とを混合して合成することにより得られたPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 前駆体溶液を用いて製造される。また、このMgNb複合アルコキシドを部分的に加水分解して得られたMgNbゾルからなるMgNb前駆体溶液を用いて製造される。

請求項（抜粋）：

膜厚が2μm以下のPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 からなる誘電体薄膜であって、室温での比誘電率が2500以上であることを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (5件)：

H01B 3/00 ,  C01B 13/32 ,  C04B 35/495 ,  H01B 3/12 313 ,  H01G 4/33

FI (5件)：

H01B 3/00 F ,  C01B 13/32 ,  H01B 3/12 313 ,  C04B 35/00 J ,  H01G 4/06 102

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜コンデンサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-050393   出願人：松下電器産業株式会社
• 誘電体薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-069401   出願人：株式会社村田製作所