特許
J-GLOBAL ID:200903004065484464

電極の回復処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-003508
公開番号(公開出願番号):特開2004-056078
出願日: 2003年01月09日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
【課題】摩耗した電極板の電極部の接続面に容易にかつ確実に所定の凹凸を形成することができること。【解決手段】所定の粗さを有する転写面10sを有する転写板10の転写面10aが転写板10の線膨張率よりも大なる線膨張率を有する基材44M上に形成されるコンタクトシート44の複数のバンプ44Bに対し所定の圧力で当接されるもとで、基材44Mおよび転写板10が所定の温度まで加熱されることにより、バンプ44Bの接続面が所定の粗さの表面に回復されるもの。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
絶縁基板上に形成される電極部を有し、半導体装置の端子部に対して該電極部の接続面を介して電気的接続を行う電極板における該電極部の接続面に、該電極板の絶縁基板の線膨張率と異なる線膨張率の材料で作られ、凹凸が形成される表面を有する転写板の該表面と該接続面とを互いに接触するように載置する第1の工程と、 前記第1の工程において前記電極部の接続面に載置された転写板を所定の圧力で該電極部の接続面に向けて押圧しつつ、該転写板および前記電極板を所定温度で所定期間、加熱する第2の工程と、 前記転写板を前記電極板に対して離隔させ、前記電極部の接続面に所定の凹凸を得る第3の工程と、 を含んでなる電極の回復処理方法。
IPC (1件):
H01L21/60
FI (1件):
H01L21/60 311Q
Fターム (7件):
2G011AA21 ,  2G011AC14 ,  2G011AE22 ,  2G011AF02 ,  5F044KK17 ,  5F044KK18 ,  5F044KK19
引用特許:
審査官引用 (1件)

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