特許
J-GLOBAL ID：200903004070576423
アニオン挿入ハイドロタルサイトの単純な製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-549200
公開番号（公開出願番号）：特表2001-524923
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 2001年12月04日
要約：
【要約】本発明は、合成アニオン挿入ハイドロタルサイト物質を合成する一段階の方法である。本発明の方法は、挿入するアニオンの無機酸が存在しIA族金属源が存在しない状態で、アルミニウム源とマグネシウム源を接触させることを含む。結果として得られるスラリーを乾燥して、最終的な製品をもたらすことができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも1種の挿入されたアニオンを含む合成ハイドロタルサイト状物質を製造する方法であって、 (a)少なくとも約40°Cの温度のIA族金属源が存在しない中で、アルミニウム源をマグネシウム源及び少なくとも1つの前記アニオン源に接触させてスラリー作成し、少なくとも1つの前記アニオン源は無機酸であり、 (b)前記スラリーを乾燥する、各工程を含む方法。
引用特許：
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