特許
J-GLOBAL ID：200903004108581590
高分子電解質膜の製造法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-141362
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249244
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】高いプロトン伝導性を示す高分子電解質膜の簡便な製造方法を提供する。【解決手段】[1]高分子電解質を含む溶媒溶液を、基材に流延塗付し、溶媒を除去することによる高分子電解質膜の製造方法において、溶媒として、アルコール及び水から選ばれる少なくとも1種からなる第一の溶媒と、第一の溶媒よりも沸点の低い非アルコール系有機溶媒からなる第二の溶媒とを含有する混合溶媒を用いることを特徴とする高分子電解質膜の製造法。[2]高分子電解質を含む溶媒溶液を、基材に流延塗付し、溶媒を除去して高分子電解質膜を製膜するに当り、溶媒として、アルコール及び水から選ばれる少なくとも1種からなる第一の溶媒と、第一の溶媒よりも沸点の低い非アルコール系有機溶媒からなる第二の溶媒とを含有する混合溶媒を用いることを特徴とする高分子電解質膜のプロトン伝導性向上方法。
請求項（抜粋）：
高分子電解質を含む溶媒溶液を、基材に流延塗付し、溶媒を除去することによる高分子電解質膜の製造法において、溶媒として、アルコール及び水から選ばれる少なくとも1種からなる第一の溶媒と、第一の溶媒よりも沸点の低い非アルコール系有機溶媒からなる第二の溶媒とを含有する混合溶媒を用いることを特徴とする高分子電解質膜の製造法。
IPC (6件)：
H01M 8/02
, C08J 5/22 101
, C08J 5/22 CER
, H01B 13/00
, H01M 8/10
, C08L101:02
H01M 8/02 P
, C08J 5/22 101
, C08J 5/22 CER
, H01B 13/00 Z
, H01M 8/10
, C08L101:02
4F071AA04
, 4F071AF01
, 4F071AH02
, 4F071BB02
, 4F071BC01
, 4F071FA05
, 4F071FB01
, 4F071FC01
, 5H026AA06
, 5H026BB04
, 5H026BB08
, 5H026CX05
, 5H026HH05
