特許
J-GLOBAL ID：200903004117670601

スラリー組成物及びそれを用いる化学機械的研磨工程を含む半導体素子の製造方法

発明者：
崔 在光

崔 在光 について

, 
李 在東

李 在東 について

, 
洪 昌基

洪 昌基 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-359039
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175498
出願日： 2004年12月10日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 ポリシリコン層のCMPを含む工程に使用できる新たなスラリー組成物を提供する。【解決手段】 シリコン酸化物及びシリコン窒化物に対してポリシリコン除去速度を低め、研磨された表面の平坦度を改善するために露出されたポリシリコン表面上にパッシベーション層を選択的に形成できる一つまたはそれ以上の非イオン性ポリマー界面活性剤を含むスラリー組成物。典型的な界面活性剤はEO-POブロックポリマーよりなるアルキル及びアリールアルコールを含み、前記界面活性剤はより少量なら効果的であるが、5Wt%以下の量でスラリー組成物に存在できる。他のスラリー添加剤として、粘度調節剤、pH調節剤、分散剤、キレート剤、及びアミンまたはイミン界面活性剤を含んでシリコン窒化物及びシリコン酸化物の相対的な除去速度を調節する。【選択図】 図2G
請求項（抜粋）：
シリコン窒化物を含む構造上に形成されたポリシリコン層の化学機械的研磨に用いられる研磨スラリー組成物において、 キャリア液体と、 研磨粒子と、 前記ポリシリコン層の露出された表面上にパッシベーション層を選択的に形成する非イオン性界面活性剤と、 からなることを特徴とする研磨スラリー組成物。
IPC (3件)：
H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14
FI (4件)：
H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
Fターム (6件)：
3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 大韓民国特許出願2003-0090551号(2003年12月12日に出願)
  • 米国特許出願10,087,139号の優先権主張出願(2004年3月24日に出願)
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM