混成集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276269
公開番号（公開出願番号）：特開平6-130131
出願日： 1992年10月14日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】パワーMOS-FETをベアチップで搭載した高信頼度な混成集積回路装置を提供する。【構成】回路基板3上にベアチップ状態の少なくとも1つのパワーMOS-FET2およびこれの制御のための制御IC1を実装した混成集積回路装置において、制御IC1と独立してパワーMOS-FETのゲート端子にバーンイン用の試験電圧を供給するバーンイン試験電圧供給線5を設け、効果的にかつ簡単にバーンイン試験が行える。また、MOS-FET2が複数の場合は、各MOS-FET2のゲート端子を相互接続するバーンイン試験電圧供給線5を設け、バーンイン試験後、供給線5を切断して各ゲート端子を電気的に分離するか、もしくは通常動作に支障のないよう所定の抵抗値を有する抵抗を供給線5に挿入する。

請求項（抜粋）：

回路基板上に少なくともベアチップ状態のパワーMOS-FETおよびこれの制御のための制御ICを実装した混成集積回路装置であって、それぞれゲート端子、ドレイン端子およびソース端子を有する少なくとも1つのベアチップ状態のパワーMOS-FETと、このパワーMOS-FETのオン・オフ制御を行うためにゲート端子に制御電圧を供給する制御ICと、この制御ICで発生される制御電圧を上記パワーMOS-FETのゲート端子に導く制御電圧供給線と、上記パワーMOS-FETのゲート端子に接続され上記制御ICと独立してバーンイン用の試験電圧を供給するバーンイン試験手段と、上記各部分を実装した回路基板と、からなる混成集積回路装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-230292 出願人：日本電装株式会社

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