特許
J-GLOBAL ID：200903004209880904

有機薄膜トランジスタ

発明者：
鎌田 俊英

鎌田 俊英 について

, 
吉田 学

吉田 学 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086374
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282883
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 真空蒸着などの汎用薄膜プロセスで作成される有機薄膜トランジスタ技術においては、半導体が多結晶状態で製膜されることから、結晶粒界におけるエネルギー障壁が原因となって、十分大きな移動度が得られず、ソース-ドレイン間電流が十分大きく取れないという問題がある。【解決手段】 本願発明においては、有機半導体薄膜の結晶粒界部位に、エネルギー障壁を低減させる他物質を導入するために、有機半導体層50における絶縁層60と対極側に、半導体層50とは逆極性を有する有機化合物20を付着させた構造とした。
請求項（抜粋）：
基板内又は上にゲート電極並びに該ゲート電極及び該基板を覆うごとくに絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に有機半導体層が形成され、該有機半導体層上にソース電極及びドレイン電極が形成されている有機薄膜トランジスタにおいて、該ソース電極と該ドレイン電極の間であって、該有機半導体層上に電子受容性化合物層が形成されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/00
FI (4件)：
H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 E
Fターム (29件)：
5F110AA07 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33
引用特許：
審査官引用 (4件)
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