半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189933
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040802
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】溝の中に固定電位絶縁電極を有する半導体装置において、浅いソース領域を実現し、良好なトランジスタ特性となる素子構造と製造方法を提供する。【解決手段】遮蔽膜30を設け、従来ひとつであったソース領域3、固定電位絶縁電極6とソース電極との間のコンタクトホールを個別のコンタクトホール23、24とし、ソース領域3を固定電位絶縁電極6形成後に形成することにより、ソース領域を浅く形成できる。そのため固定電位絶縁電極用の溝を浅く形成でき、製造が容易になる。またチャネル抵抗が低減される。また電流増幅率が向上する。さらに溝が浅くなるので、固定電位絶縁電極の端部をドレイン電界から保護するために深く形成していたゲート領域の深さも浅くでき、横拡散によって制限されていた半導体装置のセルサイズを縮小でき、半導体装置の諸特性を向上できる。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域である一導電型の半導体基体の一主面に、同一導電型のソース領域と、絶縁体よりなる島状の遮蔽膜を有し、前記主面に、前記ソース領域と前記遮蔽膜を挟み込んで、かつ、互いに平行に配置された溝を複数有し、前記溝の内部には、絶縁膜によって前記ドレイン領域とは絶縁された固定電位絶縁電極を有し、前記固定電位絶縁電極は前記絶縁膜を介して隣接する前記ドレイン領域に空乏領域を形成するような性質を有する導電性材料からなり、前記固定電位絶縁電極と前記ソース領域とに接して前記主面に層間絶縁膜を有し、前記層間絶縁膜の前記主面と対抗する面にソース電極を有し、前記層間絶縁膜は前記ソース領域と接する部分に第一のコンタクトホールを有し、前記ソース領域は前記第一のコンタクトホールを介して前記ソース電極とオーミックコンタクトしており、前記層間絶縁膜は、前記固定電位絶縁電極が前記遮蔽膜と隣接している部分に第二のコンタクトホールを有し、前記固定電位絶縁電極は前記第二のコンタクトホールを介して前記ソース電極とオーミックコンタクトしており、前記ソース領域には接しないで、かつ、前記ドレイン領域ならびに前記絶縁膜に接する反対導電型のゲート領域を有し、前記ソース領域に隣接する前記ドレイン領域の一部であって、前記固定電位絶縁電極に挟まれたチャネル領域を有し、前記ゲート領域の電位が、前記ソース領域の電位と同電位に保たれている状態では、前記チャネル領域内に前記空乏領域が形成するポテンシャル障壁によって、前記ソース領域と前記ドレイン領域とは電気的に遮断状態であり、前記ゲート領域の電位が、前記ゲート領域と前記ソース領域との間に形成されるpn接合を順バイアス状態にするような電位になると、前記ゲート領域が接する前記絶縁膜の界面に反転層が形成されて、前記空乏領域を形成している前記固定電位絶縁電極からの電界が遮蔽され、前記空乏領域が縮小もしくは消失して前記チャネル領域が導通状態となり、さらに前記ドレイン領域に少数キャリアが注入されることで前記ドレイン領域の伝導度が向上する、ことを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/78 654 C , H01L 29/78 652 L , H01L 29/78 653 A

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-127531 出願人：日産自動車株式会社

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