特許

J-GLOBAL ID：200903004220391117

半導体素子のフィールド酸化膜の形成方法

発明者： クオン ソンググ
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリイズ カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 長谷 照一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-071802
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302791
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 半導体の製造工程において、基板とパッド酸化膜の境界面に沿って酸化が進行しないようにし、バーズビークの低減を図る。【構成】 半導体基板(1)上にパッド物質膜(2)と第一の酸化防止膜(3)を順に蒸着し、酸化防止膜の所定部位をエッチングしてフィールド領域を開口するとともに、パッド物質膜の所定部位をその厚さの一部を残留させて彫り込み、パッド物質膜の所定部位の残留部分を窒化させ(2’)、その上部表面に所定の厚さに第二の酸化防止膜(6)および酸化膜を順に形成し、その酸化膜を異方性エッチングして当該所定部位にスペーサ酸化膜(7’)を形成するとともに、第二の酸化防止膜および窒化されたパッド物質膜をエッチングして前記所定部位の半導体基板を露出させ、露出した半導体基板の部位を酸化させてフィールド酸化膜(8)を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子のフィールド酸化膜の形成方法において、半導体基板上にパッド物質膜および第一の酸化防止膜を順に蒸着する第一のステップと、前記酸化防止膜の所定部位をエッチングしてフィールド領域を開口するとともに、パッド物質膜の所定部位をその厚さの一部を残留させて彫り込む第二のステップと、前記パッド物質膜の所定部位の残留部分を窒化させる第三のステップと、以上の処理でできた構造体の上部表面に沿って所定の厚さに第二の酸化防止膜および酸化膜を順に形成する第四のステップと、前記酸化膜を異方性エッチングして前記所定部位にスペーサ酸化膜を形成するとともに、露出された第二の酸化防止膜および窒化されたパッド物質膜をエッチングして前記所定部位の半導体基板を露出させる第五のステップと、前記露出した半導体基板の部位を酸化させてフィールド酸化膜を形成する第六のステップと、を含んで成ることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/762

FI (2件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-090150
  
• 特開平3-259548
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-349260   出願人：三菱電機株式会社