特許

J-GLOBAL ID：200903004221309309

SOIウェーハで作ったバック照明式CMOSまたはCCD撮像素子(IMAGER)の製造方法

発明者： ペイン, ベダブレイタ
出願人/特許権者： カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー
代理人 (1件)： 門間 正一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-532490
公開番号（公開出願番号）：特表2008-514011
出願日： 2005年09月13日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

バック照明式CMOSまたはCCD撮像素子の製作方法である。シリコン・ウェーハ(420)と素子シリコン(430)との間に埋設した酸化物層(410)が提供される。酸化物層が撮像構造における不活性化層を形成している。素子層(440)および層間絶縁膜(450)を形成し、シリコン・ウェーハを除去して酸化物層を露出させる。

請求項（抜粋）：

撮像構造を製作するウェーハ-レベル・プロセスであって、前記プロセスが、 前記撮像構造に不活性化層を形成するために提供され、シリコン・ウェーハと素子シリコンとの間に埋設された酸化物層を含んだウェーハを提供する工程と、 素子層と層間絶縁膜を形成する工程と、 シリコン・ウェーハを除去して酸化物層を露出させる工程と、 から成る撮像構造を製作するウェーハ-レベル・プロセス。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (4件)：

H01L27/14 Z ,  H01L27/14 D ,  H01L27/14 A ,  H01L31/10 A

Fターム (21件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GA09 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD15 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA01 ,  5F049RA06 ,  5F049SZ01 ,  5F049SZ16 ,  5F049WA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-388075   出願人：キヤノン株式会社
• 光集積回路およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-343542   出願人：株式会社デンソー
• リタイミング回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-094540   出願人：日本電信電話株式会社