特許
J-GLOBAL ID：200903004235752671
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299240
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124168
出願日： 1998年10月21日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 樹脂封止後の変形が少なく、切断時に個々の集積回路を容易に認識することができるチップサイズパッケージ型の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 切削用ブレード17を用いて、半導体ウエハ1の裏面に集積回路2の境界線に対応する境界溝7を形成する。次に、表面にヴィアポスト4、裏面に境界溝7が形成された半導体ウエハ1を下金型11の上に置き、その上にエポキシ樹脂5を供給して上金型12Aを圧接して加熱する。上金型12Aには、各集積回路2の境界線に対応する位置に凸部12aが設けられているので、半導体ウエハ1の表面には集積回路区分用の区分溝8を有する樹脂封止面が形成される。これにより、半導体ウエハ1とエポキシ樹脂5の熱膨張率の相違による反りが緩和されて変形が少なくなり、かつ各集積回路2の境界が明確になる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ表面の回路形成面に形成された複数の集積回路中の外部接続電極上に、所定の厚さの層間接続用のヴィアポストを形成するヴィアポスト形成工程と、前記半導体ウエハの裏面で前記複数の集積回路の境界線に対応する位置に、所定の深さの溝を形成する境界溝形成工程と、前記複数の集積回路の境界線に対応する位置に所定の高さの凸部が設けられた封止金型を用いて前記半導体ウエハの回路形成面を封止樹脂で封止し、集積回路区分用の溝を有する樹脂封止面を形成する溝付樹脂封止工程と、前記半導体ウエハの樹脂封止面を研磨して前記ヴィアポストを露出させる研磨工程と、前記研磨工程によって露出されたヴィアポスト上に接続用の導電層を形成する導電層形成工程と、前記溝付樹脂封止工程で形成された樹脂封止面の溝に沿って前記半導体ウエハを切断して個々の半導体装置に分割する切断工程とを、順次行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/78 Q
, H01L 23/28 J
4M109AA01
, 4M109CA01
, 4M109DA07
, 4M109DB17
, 4M109EA02
