特許

J-GLOBAL ID：200903004236687857

酸化物磁性薄膜及びその製造方法,電磁干渉抑制体

発明者： 花屋 実 ,  柳原 雅 ,  河野 健二
出願人/特許権者： 国立大学法人群馬大学 ,  太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-101622
公開番号（公開出願番号）：特開2006-283063
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】 酸化物磁性薄膜中の粒子の径をナノレベルで制御する。【解決手段】 スパッタリングによって基板上に酸化物磁性薄膜を形成する際に、基板温度を所定の範囲内で制御することにより、酸化物磁性粒子の径をナノレベルで制御し、所望の粒径のナノ粒子が存在する酸化物磁性薄膜を得る。特に、スピネル系フェライト焼結体ターゲットを用い、基板温度を200°C〜700°Cの間で制御することにより、数nm〜数十nmの間での粒径制御が可能となる。粒径制御されたフェライト薄膜は、高周波帯域用の電磁干渉抑制体などの用途に適用できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

スパッタリングを利用した酸化物磁性薄膜の製造方法であって、 基板上に付着する酸化物磁性粒子の粒子径を、成膜時の基板温度により制御することを特徴とする酸化物磁性薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  H05K 9/00

FI (3件)：

C23C14/34 K ,  C23C14/06 T ,  H05K9/00 M

Fターム (13件)：

4K029AA08 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA50 ,  4K029BB08 ,  4K029BC06 ,  4K029BD03 ,  4K029CA05 ,  4K029DA08 ,  5E321BB23 ,  5E321BB53 ,  5E321GG11

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開昭62-158306号公報
  
• 特開昭63-311613号公報
  
• 特開昭59-75610号公報
  
• 電磁干渉抑制体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-170427   出願人：NECトーキン株式会社
• 磁性膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-097176   出願人：ソニー株式会社, 猪俣浩一郎, 杉本諭

審査官引用 (1件)

• 特開平4-142719
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• High Frequency Properties of Ni-Zn-Cu Ferrite Thick Films Prepared by Aerosol Deposition Method