特許
J-GLOBAL ID：200903004246230936

半導体赤外線検出装置

発明者：
佐藤 文紀

佐藤 文紀 について

, 
室 英夫

室 英夫 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335007
公開番号（公開出願番号）：特開平11-153490
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 従来の半導体赤外線検出装置では、自己診断時に素子表面の絶縁膜や配線がヒータによって直接加熱されるため、素子表面が劣化した。また、素子が封止されるパッケージ内の雰囲気の異常については自己診断出来なかった。【解決手段】 自己診断時には、自己診断回路10によって拡散抵抗11に電圧が印加されて電流が流され、拡散抵抗11は自己発熱して赤外線を放射する。この赤外線は封止雰囲気に通じた空洞3を電磁波として伝播し、ダイアフラム部2上に形成された赤外線吸収膜9に吸収される。赤外線吸収膜9はこの赤外線の吸収によって温度が上昇し、この温度上昇は熱電対4の温接点5に伝えられる。熱電対4はこの温度上昇に応じた電圧を自己診断回路10へ出力し、自己診断回路10はこの入力電圧から装置自身の自己診断を行う。従って、自己診断は赤外線吸収膜9の動作が関与して動作時と同じ熱伝導態様で行われる
請求項（抜粋）：
封止雰囲気に通じる空洞を形成する肉薄のダイアフラム部を備えた半導体基板と、このダイアフラム上に形成された赤外線吸収体と、この赤外線吸収体に入射する赤外線強度に応じて出力電圧が変化する温度検出素子と、印加された電圧に応じて赤外線を放射する,前記空洞を介して前記ダイアフラムに対向して設けられた赤外線放射体と、この赤外線放射体に電圧を印加し,前記温度検出素子の出力電圧を検出して自己診断する自己診断手段とからなる半導体赤外線検出装置。
IPC (4件)：
G01J 5/12 ,  G01J 5/00 ,  G01J 5/20 ,  G01R 31/02
FI (4件)：
G01J 5/12 ,  G01J 5/00 A ,  G01J 5/20 ,  G01R 31/02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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