特許
J-GLOBAL ID：200903004249846377
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-272367
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130700
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の製造方法に関し、更に詳しくいえば、アルミ配線形成時のエッチングマスクとなるフォトレジストの除去方法に関する。【構成】半導体層(11)上のアルミ配線層(12)上に感光性膜(13)を選択形成する工程と、前記感光性膜(13)をマスクにして前記アルミ配線層(12)をエッチングしてアルミ配線(14)を形成する工程と、有機アルカリ系の剥離液を用いて前記感光性膜(13)を剥離する工程と、前記半導体層(11)及びアルミ配線層(12)を弱酸水溶液に浸漬する工程と、前記半導体層(11)及びアルミ配線層(12)を水洗する工程とを有すること。
請求項（抜粋）：
半導体層(11)上のアルミ配線層(12)上に感光性膜(13)を選択形成する工程と、前記感光性膜(13)をマスクにして前記アルミ配線層(12)をエッチングしてアルミ配線(14)を形成する工程と、有機アルカリ系の剥離液を用いて前記感光性膜(13)を剥離する工程と、前記半導体層(11)及びアルミ配線(14)を弱酸水溶液に浸漬する工程と、前記半導体層(11)及びアルミ配線(14)を水洗する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/3213
H01L 21/306 D
, H01L 21/88 C
