特許
J-GLOBAL ID：200903004265817530
イオン注入方法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033738
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252079
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 大型基板上に形成された薄膜に、高速、低温でイオン注入することができ、この注入されたイオンを活性化することのできるイオン注入方法及びその装置を提供する。【構成】 本願発明のイオン注入方法は、薄膜にイオンを注入した後に該薄膜にエネルギービームを照射し、注入されたイオンを活性化する。また、前記薄膜を自己整合型の薄膜素子とする。また、イオン注入装置31は、第1の真空槽41と第1の真空槽41に設けられたイオン源42とからなるイオン注入室32と、イオン注入室32に開閉機構36を介して設けられ、第2の真空槽51と第2の真空槽51に設けられたエネルギービーム源52とからなるエネルギービーム照射室33と、イオン注入室32及びエネルギービーム照射室33各々に設けられ基板20を保持しかつ搬入搬出する基板搬送機構44とを備えた。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された薄膜にイオンを注入する方法において、前記薄膜にイオンを注入した後に、該薄膜にエネルギービームを照射し、注入されたイオンを活性化することを特徴とするイオン注入方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265
, C23C 14/48
, C23C 14/58
, H01J 37/317
H01L 21/265 B
, H01L 21/265 D
