特許

J-GLOBAL ID：200903004276557174

高融点金属膜のドライエッチング方法

発明者： 庄司 秀行
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028891
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223686
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【目的】 エッチレートが高く、サイドエッチが少なく、対シリコン酸化膜選択性の高いタングステンのドライエッチング方法を提供する。【構成】 半導体基板101上にシリコン酸化膜103、タングステン膜103を形成しその上にパターニングされたホトレジスト104を形成する〔図1(a)〕。この半導体基板をドライエッチング装置にセットし、SF6 、Cl2 、COを200:0.5〜1.5:20〜100の流量比で供給し、エッチングを行う〔図1(b)〕。ホトレジストを除去する〔図1(c)〕。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に高融点金属膜を形成する工程と、SF6 とCl2 とCOを含む混合ガスを用いたドライエッチングにより前記高融点金属膜を選択的に除去する工程と、を有することを特徴とする高融点金属膜のドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-004197   出願人：株式会社東芝
• 特開昭64-086521