特許
J-GLOBAL ID:200903004282054630

積層薄膜コンデンサおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森本 義弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-054247
公開番号(公開出願番号):特開平7-169648
出願日: 1994年03月25日
公開日(公表日): 1995年07月04日
要約:
【要約】【目的】 小型化、大容量化に対応した積層薄膜コンデンサと、その製造方法を提供することを目的とする。【構成】 基板42上に、真空蒸着法またはスパッタリング法によりパターン形成した金属電極薄膜層の作製と、金属化合物の蒸気と反応ガスとの混合ガスを用いたプラズマCVD法による誘電体薄膜層の作製を交互に繰り返すことにより、金属電極薄膜層43、45、47と誘電体薄膜層44、46、48を積層する。なお、この誘電体薄膜層の材料は、(100)面に優先配向した正方晶ペロブスカイト構造の(Ba,Sr)TiO3 か、Pb(Mg1/3 ,Nb2/3 )O3 -PbTiO3 の複合ペロブスカイト型化合物である。これを、パターン形成した金属電極薄膜層43、45、47が一層おきに互い違いの側壁に面する様に切断した後、その切断面に外部電極49、50を真空蒸着法またはスパッタリング法またはめっき法または塗布焼付け法により形成することにより、積層薄膜コンデンサを製造する。
請求項(抜粋):
基板上に金属電極薄膜層と、金属電極薄膜層表面に対して垂直方向に(100)面に優先配向した誘電体薄膜層が交互に積層され、その金属電極薄膜層が1層おきに互い違いの側壁に面し、その側壁に外部電極を有する構造を持つことを特徴とする積層薄膜コンデンサ。
IPC (3件):
H01G 4/33 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/30 311
引用特許:
審査官引用 (8件)
  • 特開平2-121313
  • 特開平4-051407
  • 特開平3-080562
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