特許

J-GLOBAL ID：200903004293216909

ニッケル粉の製造方法とニッケル粉の製造装置とニッケル粉製造用坩堝

発明者： 小田 和彦 ,  丸野 哲司 ,  田中 公二 ,  三浦 秀一 ,  三浦 和也 ,  高橋 誠
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (1件)： 若田 勝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-122128
公開番号（公開出願番号）：特開2005-307229
出願日： 2004年04月16日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】坩堝に入れたニッケル原料をプラズマにより溶融し、蒸発させてニッケル粉を得る場合、電子部品の特性の劣化を防止しうるニッケル粉の製造方法と製造装置を提供する。 【解決手段】プラズマ反応炉1内に設置される坩堝2内でニッケルを溶融、蒸発させ、冷却して粒子収集装置12でニッケル粉を得る。坩堝2の表面層のうちの少なくともニッケルと接触する部分又は全体を被覆層で覆う。被覆層には、ニッケル粉を電極に用いる電子部品で使用する成分からなる物質またはその成分を主成分とする物質を使用する。また、坩堝全体を、ニッケル粉を電極に用いる電子部品で使用する成分からなる物質またはその成分を主成分とする物質により製造する。反応炉1の内壁または全体にも、前記物質を使用する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラズマ反応炉内に設置される坩堝内でニッケルを溶融、蒸発させてニッケル粉を得る製造方法であって、 前記坩堝の表面層のうちの少なくともニッケルと接触する部分を、ニッケル粉を電極に用いる電子部品で使用する成分からなる物質またはその成分を主成分とする物質により覆ったものを使用する ことを特徴とするニッケル粉の製造方法。

IPC (6件)：

B22F9/12 ,  F27B14/06 ,  F27B14/10 ,  F27B14/14 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

FI (8件)：

B22F9/12 Z ,  F27B14/06 ,  F27B14/10 ,  F27B14/14 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/12 361 ,  H01G4/30 301C ,  H01G4/30 301E

Fターム (32件)：

4K017AA03 ,  4K017BA03 ,  4K017CA07 ,  4K017DA01 ,  4K017DA08 ,  4K017EF02 ,  4K017EG01 ,  4K046AA03 ,  4K046BA02 ,  4K046CB12 ,  4K046CB13 ,  4K046CD04 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AJ01 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC40 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082MM22 ,  5E082MM24

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 積層コンデンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-342731   出願人：太陽誘電株式会社
• 米国特許第6,379,419号公報
  

審査官引用 (1件)

• 磁歪材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-039779   出願人：ティーディーケイ株式会社