特許

J-GLOBAL ID：200903004300861475

エピタキシャル層を有する半導体ウェハの製造方法

発明者： ギュンター オーバーマイアー ,  ラインホルト ヴァーリヒ ,  アルフレート ブーフナー
出願人/特許権者： ワッカー ジルトロニック ゲゼルシャフト フュア ハルプライターマテリアーリエン アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-331349
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203209
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 後続の熱処理中に最適化された酸素析出特性を示す、ランプ炉内でエピタキシャル層を被覆した半導体ウェハを製造する方法を提供する。【解決手段】 全面的にサセプタに搭載する半導体ウェハをエピタキシャル層の堆積後に機械的にサセプタから分離し、引き続き加熱出力を、>25°C/秒の冷却速度が生じるまで低下させる。

請求項（抜粋）：

後続の熱処理中に最適化された酸素析出特性を示す、ランプ炉内でエピタキシャル層を被覆した半導体ウェハを製造する方法において、全面的にサセプタに搭載する半導体ウェハをエピタキシャル層の堆積後に機械的にサセプタから分離し、引き続き加熱出力を、>25°C/秒の冷却速度が生じるまで低下させることを特徴とする、エピタキシャル層を有する半導体ウェハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/26

FI (3件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/26 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-122182   出願人：ソニー株式会社
• シリコン半導体基板の熱処理方法とその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331203   出願人：住友シチックス株式会社
• シリコンウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-314465   出願人：信越半導体株式会社
• 静電チャック装置における基板の脱着方法および脱着機構
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-146487   出願人：日電アネルバ株式会社