特許
J-GLOBAL ID：200903004315950253
高品質シリコンウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-349722
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186184
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】結晶面内に発生したリング状の酸素誘起積層欠陥の析出核を溶解、収縮して、デバイス特性に優れるシリコンウェーハを提供する。【解決手段】CZ法によって育成され、酸素濃度が13×lO17atoms/cm3以下であり、結晶面内にR-OSFが発生するシリコン単結晶を切断加工してシリコンウェーハとしたのち、該シリコンウェーハを昇温および降温速度が10°C/sec以上で1100°C以上の熱処理を行うことを特徴とする高品質シリコンウェーハの製造方法である。上記の製造方法において、ランプアニール炉を用いて板状の酸素析出物を溶解し、または収縮させるための熱処理を行うのが望ましい。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によって育成され、酸素濃度が13×lO17atoms/cm3以下であり、結晶面内にリング状の酸化誘起積層欠陥が発生するシリコン単結晶を切断加工してシリコンウェーハとしたのち、該シリコンウェーハを昇温および降温速度が10°C/sec以上で1100°C以上の熱処理を行うことを特徴とする高品質シリコンウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/26
, C30B 33/02
, H01L 21/324
H01L 21/26 F
, C30B 33/02
, H01L 21/324 X
