特許
J-GLOBAL ID：200903085655671359

シリコンウエーハの熱処理方法およびシリコンウエーハ

発明者：
小林 徳弘

小林 徳弘 について

, 
岡 哲史

岡 哲史 について

, 
阿部 孝夫

阿部 孝夫 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082606
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326790
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウエーハを急速加熱・急速冷却できる装置を用いて、還元性雰囲気下で熱処理する方法に関し、特にシリコンウエーハ表面のCOP密度および酸化誘起積層欠陥の核となる微小欠陥を低下させることができる熱処理方法を提供する。【解決手段】 シリコンウエーハを急速加熱・急速冷却できる装置を用いて還元性雰囲気下で熱処理する方法において、該シリコンウエーハを1200°C〜シリコンの融点以下の温度範囲で、1〜60秒間熱処理をすることを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。この場合、還元性雰囲気を、100%水素雰囲気、あるいは水素とアルゴンの混合雰囲気とし、熱処理時間を、1〜30秒とするのが好ましい。
請求項（抜粋）：
シリコンウエーハを急速加熱・急速冷却できる装置を用いて還元性雰囲気下で熱処理する方法において、該シリコンウエーハを1200°C〜シリコンの融点以下の温度範囲で、1〜60秒間熱処理をすることを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/324 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L 21/324 X ,  C30B 29/06 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/316 S
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM