特許

J-GLOBAL ID：200903004348155947

単結晶くねり成長検出方法及び単結晶くねり成長検出装置並びに単結晶製造装置

発明者： 藤原 秀樹
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 工藤 宣幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-357209
公開番号（公開出願番号）：特開2003-160394
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年06月03日
要約：

【要約】【課題】 くねり成長を確実に検知して抑制し、安定した単結晶引上げを実現する。【解決手段】 単結晶くねり成長検出方法は、坩堝1内にシリコン原料を充填して溶解し、その溶融液に種結晶15を浸漬して回転させながら引上げて単結晶12を成長させる際に生じる結晶くねり成長を検出する方法である。この方法では、単結晶12の成長面のフュージョンリングの変動周期と、結晶回転周期とを比較し、これらが一致したとき、単結晶のくねり成長と判断する。単結晶くねり成長検出装置は、変動周期検出手段(20,21,22)と結晶回転周期検出手段(20,21,30)と比較手段23とからなる。単結晶製造装置は、上記単結晶くねり成長検出装置(20,21,22,23,30)と、この単結晶くねり成長検出装置で単結晶くねり成長を検出したときに操業パラメータを変更するPLC30とからなる。

請求項（抜粋）：

坩堝内に原料を充填して溶解し、該溶融液に種結晶を浸漬して回転させながら引上げて単結晶を成長させる際に生じる結晶くねり成長を検出する単結晶くねり成長検出方法において、上記結晶の成長面のフュージョンリングの変動周期と、結晶回転周期とを比較し、これらが一致したとき、単結晶のくねり成長と判断することを特徴とする単結晶くねり成長検出方法。

IPC (2件)：

C30B 15/26 ,  C30B 29/06 502

FI (2件)：

C30B 15/26 ,  C30B 29/06 502 Z

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH04 ,  4G077EH10 ,  4G077HA12 ,  4G077PF04 ,  4G077PF09 ,  4G077PF13

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶体の引き上げ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-067030   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社