半導体装置の配線形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-334242
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172131
出願日： 1994年12月16日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】物理的気相成長法及びリフロー処理を同一の成膜装置を用いて行う必要がなく、しかも、リフロー処理前に金属配線材料の表面処理を行う必要が無い半導体装置の配線形成方法を提供する。【構成】半導体装置の配線形成方法は、(イ)基体上に物理的気相成長法にて金属配線材料から成る金属配線材料層22を形成し、(ロ)該金属配線材料層22上に酸化防止膜23を形成し、(ハ)該金属配線材料層22をリフローさせて、酸化防止膜23を構成する成分を金属配線材料中に完全に固溶させ、(ニ)該金属配線材料層22をパターニングする各工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)基体上に物理的気相成長法にて金属配線材料から成る金属配線材料層を形成する工程と、(ロ)該金属配線材料層上に酸化防止膜を形成する工程と、(ハ)該金属配線材料層をリフローさせて、酸化防止膜を構成する成分を金属配線材料中に完全に固溶させる工程と、(ニ)該金属配線材料層をパターニングして配線を形成する工程、から成ることを特徴とする半導体装置の配線形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/88 B , H01L 21/88 N

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平2-197132
特開平1-143338
特開昭63-215055

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審査官引用 (4件)

特開平2-197132
特開平1-143338
特開昭63-215055

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