特許
J-GLOBAL ID：200903004375697956
半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-091280
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283441
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 絶縁性基板上に半導体層を形成して薄膜トランジスタを製造する方法において、基板上に形成された非晶質半導体層にレーザーアニールを施して多結晶半導体層を形成する時、結晶粒の均一性を高め、トランジスタの特性のばらつきを無くす。【解決手段】 基板上に形成されたa-Siをパルスレーザーアニールにより微結晶粒からなるp-Si(12)にした後、このp-Si(12)にCWレーザーを照射することにより、微結晶粒からの固相エピタキシャル成長を促して、粒径を大きくするとともに、結晶粒径を全域にわたって均一ににする。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に半導体層及び電極層を形成する半導体素子の製造方法において、前記半導体層は、前記絶縁性基板上に形成された非晶質半導体膜に、パルス励起レーザー照射を行うことにより、前記非晶質半導体膜を比較的粒径の小さな結晶粒からなる多結晶半導体膜にした後、連続励起レーザー照射を行うことにより前記結晶粒の粒径を大きくするとともに、結晶粒径の分布を均一にすることを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/268 Z
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 627 G
