特許

J-GLOBAL ID：200903074540190398

多結晶薄膜の形成方法及び薄膜半導体素子

発明者： 前川 茂樹 ,  古田 守 ,  筒 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-325177
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181069
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 レーザービームによるアニールを用いて、基板上の多結晶薄膜の結晶均一性を向上し、基板面内に分布するデバイスの性能ばらつきを抑制する方法を提供する。【構成】 第1ステップのアニールで、基板5上の非晶質Si薄膜2に対し、エキシマレーザービーム1によるアニールを行い、平均結晶粒径が約20nm以下の微結晶Si薄膜3を形成し、次に第2ステップのアニールで、微結晶Si薄膜3に対し、エキシマレーザービーム1によるアニールを行い、多結晶Si薄膜4を形成する。この多結晶Si薄膜4を用いて薄膜トランジスタを作製する。

請求項（抜粋）：

基板上に平均結晶粒径が20nm以下の微結晶を含む薄膜を形成する工程と、前記微結晶を含む薄膜をレーザービームでアニールすることにより平均結晶粒径が20nm以上の多結晶薄膜を形成する工程を少なくとも有することを特徴とする多結晶薄膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  C30B 30/00 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-248642   出願人：富士ゼロックス株式会社
• レーザー処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-307797   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-040523   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所