特許

J-GLOBAL ID：200903004376873090

半導体装置及びその製造方法

発明者： 亀山 明子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-322675
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181139
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】マイグレーション耐性が大きく、配線後の配線平坦化等の熱処理の際のシリコン基板からのSiの流入や抵抗の増加を防止した積層配線を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】バリア層23,24上にAl-Ti合金層21を設けその上のAl-Si-Cu合金層22を設けた積層配線20をシリコン基板10上に設ける。

請求項（抜粋）：

Al-Ti合金層の表面上にAl-Si-Cu合金層が被着して積層された積層配線がシリコン基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-034939
  
• 特開平4-186729
  
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-086812   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-221669