特許
J-GLOBAL ID：200903004382676077
高耐圧半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310814
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167617
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】 初期耐圧が高く、且つBT試験等においても経時的な劣化の少ないP型高耐圧半導体装置を提供する。【構成】 P型の半導体基板2表面に反対導電型の高耐圧素子部分の拡散領域6を設け、該拡散領域6を取り囲むように複数のN型のガードリング拡散領域3を備えたP型高耐圧半導体装置において、前記ガードリング拡散領域3,3間及び前記反対導電型の拡散領域6とガードリング拡散領域3間に、前記半導体基板と同一導電型で、該基板の濃度よりも高い濃度の拡散領域12を該基板の最大反転層幅以下の厚さに設けた。
請求項（抜粋）：
P型の半導体基板表面に反対導電型の高耐圧素子部分の拡散領域を設け、該拡散領域を取り囲むように複数のN型のガードリング拡散領域を備えたP型高耐圧半導体装置において、前記ガードリング拡散領域間及び前記反対導電型の拡散領域とガードリング拡散領域間に、前記半導体基板と同一導電型で、該基板の濃度よりも高い濃度の拡散領域を該基板の最大反転層幅以下の厚さに設けたことを特徴とする高耐圧半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/78
H01L 29/72
, H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 655 F
