特許

J-GLOBAL ID：200903004384495550

半導体集積回路装置又は集積回路製造用板状物の製造方法

発明者： 早川 肇 ,  村井 二三夫 ,  佐藤 康夫 ,  堤田 光起 ,  平川 明 ,  佐々木 実
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085474
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283906
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 荷電粒子露光装置の移動台による位置移動制御に誤差が内在していたとしても、段やくびれ等のような形状不良を生じさせることなく、良好にパターンを露光する。【解決手段】 第1のストライプS1 では、それに全体が内包されるパターンP1,P4,P7 を露光し、一部だけが入るパターンP2,P3,P5,P6,P8 については露光しない。第2のストライプS2 では、それに全体が内包されるパターンP3,P6,P9 を露光し、既に露光されたパターンP1,P4,P7 および一部だけが入るP2,P5,P8 は露光しない。第3のストライプS3 では、それに全体が内包されるパターンP2,P5,P8 を露光し、既に露光されたパターンP1,P3,P4,P6,P7,P9 は露光しない。

請求項（抜粋）：

以下の工程より成る半導体集積回路装置又は集積回路製造用板状物の製造方法;(a)露光すべき集積回路製造用板状物を荷電粒子露光装置の被露光板状物設置ステージに設置する工程;(b)前記ステージに設置された前記板状物上に描画すべき複数の高接続精度パターンのうち、第1の荷電粒子線走査対象領域に全体が内包される全ての単一又は複数のパターンから成る第1の高接続精度パターン群を荷電粒子線により露光する第1露光工程;(c)前記工程(b)の少なくとも一部と同時に又は前記工程(b)の後に、第2の荷電粒子線走査対象領域が前記第1露光工程で露光された第1の高接続精度パターン群のうちの少なくとも一つのパターンの少なくとも一部を含み、かつ、少なくとも一つの未露光の高接続精度パターンの全体を内包するように、前記ステージを荷電粒子露光装置の荷電粒子線光学系との間で第1の方向に相対的に移動する第1ステージ移動工程;(d)前記工程(b)及び(c)の後、未露光の複数の高接続精度パターンのうち、第2の荷電粒子線走査対象領域に全体が内包される全ての単一又は複数のパターンから成る第2の高接続精度パターン群を荷電粒子線により露光する第2露光工程;(e)前記工程(d)の少なくとも一部と同時に又は前記工程(d)の後に、第3の荷電粒子線走査対象領域が前記第2露光工程で露光された第2の高接続精度パターン群のうちの少なくとも一つのパターンの少なくとも一部を含み、かつ、少なくとも一つの未露光の高接続精度パターンの全体を内包するように、前記ステージを荷電粒子露光装置の荷電粒子線光学系との間で前記第1の方向に相対的に移動する第2ステージ移動工程;(f)以上工程(b)から(e)を繰り返すことにより、前記集積回路製造用板状物を荷電粒子線により露光する繰り返し露光工程。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 541 J ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521