特許

J-GLOBAL ID：200903004402629372

半導体装置およびその製造方法

発明者： 南幅 学 ,  矢野 博之 ,  倉嶋 延行 ,  山本 進
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-369726
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179599
出願日： 2004年12月21日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】 Cu配線を有し信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板(20)と、前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜(21,22)と、前記第1の絶縁膜に埋め込まれたCu配線(25)と、前記Cu配線上に形成された第2の絶縁膜(27)を具備する半導体装置である。前記Cu配線と前記第2の絶縁膜との界面には、Ti、Al、W、Pd、Sn、Ni、Mg、およびZnからなる群から選択される少なくとも1種の金属またはその酸化物(28)が不連続に存在することを特徴とする。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜に埋め込まれたCu配線と、 前記Cu配線上に形成された第2の絶縁膜を具備し、 前記Cu配線と前記第2の絶縁膜との界面には、Ti、Al、W、Pd、Sn、Ni、Mg、およびZnからなる群から選択される少なくとも1種の金属またはその酸化物が不連続に存在することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/288

FI (3件)：

H01L21/88 M ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/88 R

Fターム (35件)：

4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD51 ,  4M104DD75 ,  4M104FF13 ,  4M104FF21 ,  4M104FF22 ,  4M104FF23 ,  4M104HH09 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033VV11 ,  5F033WW04 ,  5F033XX14 ,  5F033XX20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-064593   出願人：株式会社東芝