特許
J-GLOBAL ID：200903004480405995
GaN系LED素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-036267
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205005
出願日： 2007年02月16日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】パッド電極による光の遮蔽および/または吸収を軽減し得る構造を備えたGaN系LED素子を提供すること。【解決手段】GaN系LED素子1は、導電性基板11と、複数のGaN系半導体層からなる積層体12とを有し、積層体12には、導電性基板11から最も離れた位置に配置されたn型層12-3と、該n型層と導電性基板11との間に配置された発光層12-2と、n型層12-3とで発光層12-2を挟むように配置されたp型層12-1とが含まれている。n型層12-3の上にはパッド電極P14が形成されており、積層体12の導電性基板11側の面には、パッド電極P14と向かい合うようにして、底面H11を有する扁平孔H1が、少なくとも発光層12-2に達する深さに形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性基板と、該導電性基板上に形成された複数のGaN系半導体層からなる積層体とを有し、該積層体には、前記導電性基板から最も離れた位置に配置されたn型層と、該n型層と前記導電性基板との間に配置された発光層と、前記n型層とで前記発光層を挟むように配置されたp型層とが含まれているGaN系LED素子において、
前記n型層の上にはパッド電極が形成されており、
前記積層体の前記導電性基板側の面には、前記パッド電極と向かい合うようにして、底面を有する扁平孔が、少なくとも前記発光層に達する深さに形成されている、
ことを特徴とするGaN系LED素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA67
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA76
, 5F041CA83
, 5F041CA84
, 5F041CA98
, 5F041CB15
, 5F041DA16
, 5F041FF11
