特許
J-GLOBAL ID：200903074433356054
窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-359511
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193338
出願日： 2002年12月11日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】光の取出し効率の良好な窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明の窒化物系化合物半導体発光素子は、p型用電極と、p型半導体層と、発光層と、n型半導体層と、n型用電極とが台座基板上に順次形成され、n型用電極側が主たる光取出し面である発光素子において、p型半導体層とp型用電極との間の一部に電流阻止層が設けられていることを特徴とする。また、本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法は、基板上に、n型半導体層と、発光層と、p型半導体層とを順次形成する工程と、p型半導体層上の一部に電流阻止層を形成した後、p型用電極を形成する工程と、p型用電極上に、台座基板を形成する工程と、基板の一部または全部を除去し、n型半導体層の一部または全部を露出させる工程とを含むことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p型用電極と、p型半導体層と、発光層と、n型半導体層と、n型用電極とが台座基板上に順次形成され、n型用電極側が主たる光取出し面である発光素子において、前記p型半導体層と前記p型用電極との間の一部に電流阻止層が設けられていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F041AA03
, 5F041CA40
, 5F041CA88
, 5F041CA92
