半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153049
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320286
出願日： 1996年05月24日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】ダミーメモリセルのデータを読み出し期待するデータが出力されたときにデータを保持する信号を出力し、メインメモリセルのデータを保持する半導体記憶装置の提供。【解決手段】データ保持信号生成手段として、メインメモリセルと同一構造のダミーメモリセル(図1の72)と、ダミーメモリセルのデータを読み出すダミーセンスアンプ(図1の52)と、ダミーセンスアンプがダミーメモリセルのデータを出力する時のデータ変位点を検出しデータ変位検知信号を出力するデータ変位検知回路(図1の9)と、データ変位検知信号を入力しデータ変位検知信号の遅延信号であるデータ保持信号を出力する遅延回路(図1の3)を備えることによりメインメモリセルのデータを保持する動作を行う。

請求項（抜粋）：

メインメモリセルと略同一構造のダミーメモリセルと、前記メインメモリセルのデータを読み出すメインセンスアンプと、前記ダミーメモリセルのデータを読み出すダミーセンスアンプと、前記メインセンスアンプの出力データを保持するデータ保持手段と、を含み、前記メインメモリセルの読み出し動作を行うと同時に、前記ダミーメモリセルの読み出しを行い、前記ダミーセンスアンプが前記ダミーメモリセルのデータを出力するタイミングを利用して、前記データ保持手段が前記メインセンスアンプの出力データを保持するように構成されてなることを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-204164 出願人：富士通株式会社
特開昭61-029496

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