特許

J-GLOBAL ID：200903004493971124

化合物半導体素子及びその製造方法

発明者： 杉浦 理砂 ,  板谷 和彦 ,  西尾 譲司 ,  藤本 英俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-016825
公開番号（公開出願番号）：特開平10-215034
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 InAlGaN系半導体を用いた場合においても、半導体層と電極とのコンタクト抵抗の低減をはかることができ、素子特性及び信頼性の向上をはかる。【解決手段】 サファイア基板11上にInAlGaN系半導体層を積層してなる化合物半導体レーザにおいて、半導体積層構造の最上層であるp型GaNコンタクト層19の表面に、InGaNからなるコンタクト用のドット20が形成され、ドット20を表面に形成したコンタクト層19上にp側電極22が形成されている。

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体を積層してなる化合物半導体素子において、前記窒化物系化合物半導体の積層構造のうち電極とコンタクトするためのコンタクト層の表面に、ドット状のIn<SB>x</SB> Ga<SB>1-x</SB> N(0<x≦1)、又はピットを有するIn<SB>x</SB> Ga<SB>1-x</SB> N(0<x≦1)層からなるコンタクト部が形成されていることを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-280155   出願人：株式会社日立製作所