特許

J-GLOBAL ID：200903004532777195

高純度炭化ケイ素製造装置

発明者： 大橋 俊安 ,  久保田 芳宏 ,  原田 今朝治 ,  岩井 良二
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-126729
公開番号（公開出願番号）：特開平5-295547
出願日： 1992年04月20日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：

【要約】【構成】 シランを原料として用い、高純度炭化ケイ素を化学気相蒸着法で製造するための反応装置において、該反応装置の反応室内金属部材をNiもしくはNi合金又はNiもしくはNi合金でメッキを施した金属製基材で形成してなることを特徴とする高純度炭化ケイ素製造装置を提供する。【効果】 本発明によれば、金属不純物の含有量が極めて少ないSiCを得ることができ、このため半導体拡散炉用構成部材、エピタキシャル成長用のサセプターのSiCコーティング膜の純度を向上させることができるので、Siウエハーへの不純物汚染を大幅に減少させることができる。

請求項（抜粋）：

シランを原料として用い、高純度炭化ケイ素を化学気相蒸着法で製造するための反応装置において、該反応装置の反応室内金属部材をNiもしくはNi合金又はNiもしくはNi合金でメッキを施した金属製基材で形成してなることを特徴とする高純度炭化ケイ素製造装置。

IPC (2件)：

C23C 16/32 ,  C01B 31/36

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-057640
  
• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-112461   出願人：鶴見曹達株式会社
• 特開平3-166361