特許

J-GLOBAL ID：200903004533967281

低温処理装置およびこれを用いた低温処理方法

発明者： 渡邉 英俊 ,  城崎 友秀 ,  平野 信介
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-008008
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203866
出願日： 1995年01月23日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【構成】 エッチングユニット2と温度調節ユニット3とからなるドライエッチング装置において、温度調節ユニット3は、液化温度の異なる3種類のフルオロカーボン系冷媒をそれぞれ循環させる3個の圧縮冷凍サイクル11,12,13よりなる。第3段圧縮冷凍サイクル11では、最も液化温度の低い冷媒Aを、第3段凝縮器16および第3段膨張弁17を経て液化温度まで冷却した状態でウェハ載置電極5内へ流入させることも、バイパス路19を経て高温のままウェハ載置電極5内へ流入させることもできる。【効果】 一台で-100°C以下の低温から常温以上の温度にまで、ウェハ1の温度を迅速に昇降させることができ、異なる温度での複数のプロセスを同一チャンバ内で連続処理したり、低温処理後にウェハ1の温度を即座に常温にまで昇温することができる。このため、スループットの向上、コストの削減が図れる。

請求項（抜粋）：

処理室内の基板載置台に載置された基板に対して所定の低温処理を施す低温処理手段と、前記基板載置台の冷却/加熱を通じて前記基板の温度を調節する温度調節手段とを有する低温処理装置において、前記温度調節手段は、液化温度の異なる冷媒をそれぞれ循環させる複数の圧縮冷凍サイクルが組み合わせられてなる多元冷凍サイクルを有することを特徴とする低温処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プラズマ装置およびその運転方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-160375   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社