特許
J-GLOBAL ID:200903004565336976

真空遮断器用接点材料,その製造方法および真空遮断器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 波多野 久 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-343124
公開番号(公開出願番号):特開平11-176298
出願日: 1997年12月12日
公開日(公表日): 1999年07月02日
要約:
【要約】【課題】不純物含有量が少なく、しかもCu相に固溶されているCrの固溶濃度を低減させることにより硬度を低減して成形性を向上させ、容易に量産することが可能な真空遮断器用接点材料,その製造方法および真空遮断器を提供する。【解決手段】Cuからなる高導電材料とCrからなる耐弧材料とから構成される真空遮断器用接点材料において、Cu相におけるCrの固溶濃度が200ppm以下であることを特徴とする。
請求項(抜粋):
高導電成分としてのCu相と耐弧成分としてのCrとから成り、Cu相におけるCrの固溶濃度が200ppm以下であることを特徴とする真空遮断器用接点材料。
IPC (4件):
H01H 33/66 ,  C22C 1/04 ,  C22C 9/00 ,  H01H 1/02
FI (4件):
H01H 33/66 B ,  C22C 1/04 P ,  C22C 9/00 ,  H01H 1/02 C
引用特許:
審査官引用 (10件)
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